具有双介质埋层的新型SOI材料研制

摘要：

本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化学机械抛光来实现键合面的平坦化,在高温下对有源片和衬底片进行牢固键合.通过以上等工艺步骤,获得了Si/SiO2/Poly/SiO2/Si共5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点。

关键词： 埋氧层 键合 高压氧化 化学气相淀积 多晶硅

作者: 陈开锋 罗小蓉 詹瞻 冯志成 张正元

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 四川固体电路研究所,重庆,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 12-16

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）