大功率SiGe晶体管的过温保护电路设计

摘要：

本文利用SiGe与传统的硅工艺技术兼容,尤其是于CMOS工艺兼容等特点,设计一种过温保护电路,实时有效的控制SiGeHBT的工作。取代长期以来使用的外加发射极镇流电阻的方法,以简单通用更便于集成的方式防止了SiGeHBT大电流聚集超温烧毁的问题。经检验成功实现了对功率SiGeHBT的有效保护,并避免了加镇流电阻引起的输出功率,功率增益,功率附加效率(PAE)和饱和压降的退化现象。

关键词： 电流集中 过温保护 晶体管 功率增益

作者: 刘华 张庆中

作者单位: 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 8-11

在线出版日期: 2007-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）