会议专题

钛酸锶与砷化镓的(001)异质结构

介绍第一性原理计算SrTiO3与GaAs的(001)表面构成的异质结界面。采用软件模拟构成异质结,以半导体材料GaAs作为衬底,而由于(001)表面GaAs旋转45°的晶格常数与SrTiO3的晶格常数接近,可构成良好的异质结.讨论其SrO-Ga和SrO-As界面异质结界面处能量,比较得到SrO-As界面异质结构更稳定。而异质结的能带图和电子态密度分析,得出界面出现了导电现象,可看作一层薄的导体,就其原因是界面原子存在的悬挂键造成的。

能带图 电子态密度 钛酸锶 砷化镓 异质结构

杨果来 刘诺 倪建刚

电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054

国内会议

四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会

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2007-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)