计算机硬盘基片CMP镍磷材料的去除机理

摘要：

在计算机硬盘生产中,在保证表面质量的条件下,提高化学机械抛光(CMP)的去除量非常关键,因此,研究生产可使用工艺参数范围内适用的CMP去除机理相当重要。本文利用摩擦模拟实验机,分别对速度、正压力以及抛光液PH值对盘基片抛光去除量的影响进行了实验研究,结果表明,可用结合控制步骤理论的Preston方程描述硬盘盘基片抛光生产中的去除量。

关键词： 硬盘盘基片 化学机械抛光 镍磷材料 表面质量

作者: 胡波 李维民 黄雅婷 赵艳

作者单位: 深圳开发磁记录有限公司,深圳,518035 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国摩擦学大会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 465-468

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）