ULSI化学机械抛光材料分子磨损机理研究进展

摘要：

化学机械抛光(CMP)技术是实现超大规模集成电路(ULSI)多层布线平坦化的唯一技术。就国内外关于CMP材料原子/分子磨损机理的试验和模型研究状况和发展进行了评述。指出现有微观试验和模型描述CMP材料原子/分子磨损过程中存在的问题,提出在原子/分子量级的材料磨损机理研究中引入原子/分子能量理论,以便深入揭示CMP材料原子/分子去除机理,为建立精确控制CMP过程提供理论依据。

关键词： 化学机械抛光 磨损机理 试验模型 原子/分子能量理论 超大规模集成电路 多层布线 CMP材料

作者: 王永光 赵永武

作者单位: 江南大学机械工程学院,江苏,无锡,214122

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国摩擦学大会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 377-382

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）