聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究
采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/介孔二氧化硅(MCM-41)复合材料。利用XRD和TEM观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过SEM研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态,并在此基础上研究了MCM-41粒子添加量对该复合材料介电性能的影响。结果表明：PI复合薄膜的体积电阻率和介电强度得到不同程度的提高,MCM-41含量3w％时体积电阻率提高了一个数量级,由2.8×1014MV/m增至2.1×1015MV/m,同时介电常数从3.26降至2.86,介电损耗无显著变化。
聚酰亚胺薄膜 复合材料 低介电常数 击穿强度 复合薄膜 介电性能
马兰杰 党智敏
北京化工大学,纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室,北京,100029
国内会议
上海
中文
171-174
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）