ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究
从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130～20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程。发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.
氧化锌 压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热处理 电子陷阱
李盛涛 成鹏飞 赵雷 李建英
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
国内会议
上海
中文
5-10
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）