垂直Bridgman多组元化合物晶体生长过程的热质对流
在垂直Bridgman晶体生长装置中,熔体的热质对流是由于温度梯度和浓度梯度间的相互作用引起的,而温度梯度和浓度梯度由合金的热物性和生长炉的结构所决定。由于温度梯度和浓度梯度的耦合作用,坩埚中熔体的流动结构形式多样,由流动引起的溶质分布也呈多种形式。本文以GeSi多组元化合物半导体晶体为对象,数值研究了垂直Bridgman晶体生长过程中的热质对流现象,分析了GeSi合金热物性、生长炉结构对热质对流和径向溶质分凝的影响规律。模拟结果表明,在垂直Bridgman装置中,熔体的热质对流是由于生长炉的热边界条件不连续性和合金熔-固相热物性不匹配引起的；随着熔体流动强度的增加,径向溶质分凝变化出现两个极小点,所以单纯地抑制或加强熔体对流并不一定能改善径向溶质分凝现象。
热质对流 温度梯度 径向溶质分凝 晶体生长
陆军 白博峰 郭烈锦
西安交通大学多相流国家重点实验室,西安,710049
国内会议
广州
中文
1201-1211
2007-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）