勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值模拟分析
利用有限元法就勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0～2.0)T.结果表明：勾形磁场可有效抑制熔体内的流动；随着磁场强度增加,熔体内传热向导热型转变,加热器功率曾大；结晶界面温度梯度在场强为0.05T时略有降低,之后增加；而结晶界面形状在场强为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦.同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主；结晶界面处的氧浓度随场强的增加而逐渐降低,当场强高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升.
数值模拟 勾形磁场 温度场 单晶CZ生长 硅
李友荣 魏东海 吴双应
重庆大学动力工程学院,重庆,400044
国内会议
广州
中文
1195-1200
2007-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）