平面近场辐射的单色效应和偏振态研究
近场辐射是微纳米尺度辐射的重要问题,本文计算了平面内涨落电磁场产生的电磁能密度和两平行平面间的微纳米尺度辐射热流,分析了介电常数对近场辐射中单色效应的影响,对于SiC,单色效应极大地提高了电磁能密度和近场辐射换热量,而对于AI则没有明显的单色效应。本文还分析了不同偏振态的影响,对于SiC材料,在微纳米尺度范围内,电磁能密度和辐射换热量主要受p偏振的近场倏逝波的影响,而s偏振电磁波和p偏振的远场传播波对微纳米尺度下的辐射总量贡献可以忽略。
热辐射 近场辐射 单色效应 偏振态 微纳米尺度辐射
车志钊 张昊春 江乐 谈和平
哈尔滨工业大学,能源科学与工程学院,哈尔滨,150001
国内会议
广州
中文
767-770
2007-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）