GaxIn1-xN输运性质的温度特性的数值研究

摘要：

利用多粒子Monte Carlo方法对含位错GaxIn1-xN材料的输运性质的进行了研究,计算表明材料的漂移速度随温度升高而降低,InN的漂移速度的温度特性优于GaN.GaN和InN的迁移率在相同温度范围内随温度的变化趋势不同,同时位错密度对材料迁移率的温度特性影响较大。

关键词： 漂移速度 迁移率 输运性质 温度特性 温度范围 位错密度 GaxIn1-xN材料

作者: 于新刚 梁新刚

作者单位: 清华大学航天航空学院,传热与能源利用北京市重点实验室,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年传热传质学学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 93-97

在线出版日期: 2007-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）