硅纳米线热导率的MD研究

摘要：

采用非平衡分子动力学方法模拟了半导体硅纳米线的热导率。考虑了纳米线的长度、截面积和平均温度等因素对其热导率的影响。结果表明,由于边界效应的影响,硅纳米线的热导率值比硅体材料热导率低1～2数量级。纳米线截面积的增大会增大其热导率值。本文结果和前人的研究结果符合的较好。

关键词： 热导率 分子动力学 硅纳米线 半导体硅 截面积

作者: 王帅创 梁新刚

作者单位: 北京清华大学航天航空学院,传热与能源利用北京市重点实验室,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年传热传质学学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 76-79

在线出版日期: 2007-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）