Ca2Si电子结构和光学性质的研究
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。
半导体材料 硅化钙 第一性原理计算 电子结构 光学性质
杨创华 谢泉 赵凤娟 陈茜 肖清泉
贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025
国内会议
武汉
中文
4124-4128
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）