正向电压及氧化时间对ZAlSi12微氧化陶瓷层特性的影响
ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金.铸铝合金中Si的存在不利于在其表面进行微氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律,并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达169μm.氧化时间为0～48 min时,膜层生长速度快,超过48min后,生长缓慢.因此,适宜的氧化时间为48min.
铸造铝合金 微弧氧化方法 陶瓷复层 正向电压 氧化时间
吕凯 刘向东 池波 张雅萍 张静 刘晓丽 乌迪
内蒙古工业大学,材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010051
国内会议
武汉
中文
4081-4083
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）