圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性
研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线.研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响,也包含圆柱靶溅射中的再沉积.研究发现下段柱筒的沉积量大,铜膜在硅盘边缘部分的沟槽中对称性好于上段,但硅盘上铜膜的不均匀性也最严重.当上段柱筒距硅盘距离足够远时,上段柱筒的角系数趋势起到部分抵消中段和下段角系数的不均匀趋势,对沉积铜在硅盘上的均匀性起帮助作用。圆柱顶端和柱筒上段需要提高溅射强度以降低再沉积的不良影响。但是提高柱筒上段的溅射强度会对硅盘边缘线路沟槽中的铜膜的对称性产生不良影响。
集成电路 物理气相沉积 磁控溅射 铜互连线 角系数
杨林 吕俊青
安徽工业大学,材料科学与工程学院,安徽,马鞍山,243002
国内会议
武汉
中文
4064-4066
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）