大气中烧结多孔氮化硅的相变和氧化机理研究

摘要：

以α-Si3N4为原料,分别以Y2O3-Al2O3和MgO-Al2O3-SiO2两个体系作为烧结助剂,在大气中对氮化硅坯体在1400～1550 ℃进行烧结.研究了烧结温度、烧结助剂体系对氮化硅的氧化程度、氧化产物的影响。结果表明,以MgO-Al2O3-SiO2作烧结助剂有利于α-Si3N4转变为β-Si3N4,且该烧结助剂体系的的抗氧化能力也明显优于Y2O3-Al2O3体系.氮化硅在不同温度烧结时形成的氧化产物不同.

关键词： 大气烧结 多孔氮化硅 相变 氧化机理

作者: 贾玲 谷景华 张凡伟 赵宇宏 张跃

作者单位: 北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 3843-3845

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）