SiCp增强泡沫铝制备工艺研究
对熔体发泡法制备SiCp增强泡沫铝基复合材料的制备工艺进行了探索,通过正交试验研究了SiC的粒度、发泡剂TiH2的加入量、发泡温度、保温时间等工艺参数对泡沫铝孔隙率及孔结构的影响,确定了制备SiCp增强泡沫铝基复合材料的最佳工艺参数:掺入10％(质量分数)1000目的SiC颗粒增粘,在发泡剂TiH2加入量为2％(质量分数),搅拌时间2min,保温温度700℃以及保温时间3min的工艺条件下,制得的泡沫铝的孔隙率达到80％,平均密度达到了0.5g/cm3,且基本没有无泡层.最后对泡沫铝的产业化生产的可行性作了讨论。
碳化硅 泡沫铝 金属基复合材料 制备工艺 熔体发泡法
程申涛 周星 叶晓苏 毛协民 李重河
上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072
国内会议
武汉
中文
3836-3839
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）