C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错能的影响
通过X射线实验测出Fe-Mn-Si-N-C形状记忆合金中的层错几率,并讨论了N、C元素的添加对层错几率和层错能的影响。通过电子衍射斑点位移的方法测得Fe-29.9Mn-6.0Si形状记忆合金局部区域的层错几率,发现比X射线衍射测得的层错几率大两个数量级,分析差异来自于电子衍射测量的是局部的高密度层错区域。
形状记忆合金 层错几率 层错能 电子衍射测量
陈科 金学军
上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240
国内会议
武汉
中文
3236-3238
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）