射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响

摘要：

用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系.随着N2分量由5％增加到50％,薄膜先是呈现(111)的择优取向,后是呈现(200)的取向,最后没有衍射峰出现,结构趋于无定型。于此同时,电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。

关键词： 射频反应溅射 TiN薄膜 氮分压 电导率

作者: 刘逆霜 方国家 王明军 艾磊 赵兴中

作者单位: 武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;中国科学院,传感技术国家联合重点实验室,上海,200050 武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 2346-2347

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）