氨气等离子体下游区合成碳纳米管的研究
利用介质阻挡放电等离子体化学气相沉积技术,在蒸镀有13nm Ni催化剂层的Si基材上,以CH4为碳源,H2与NH3的混和物为刻蚀和稀释气体,在630和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管.实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况,并给出了合成碳纳米管的最佳氨气含量区间。SEM和TEM测试发现,所合成的碳纳米管具有竹节型结构,Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制.实验还发现氨气含量对碳纳米管的生长影响很大,并对其原因进行了初步的分析。
碳纳米管 介质阻挡放电 下游区 氨气等离子体
付亚波 张春梅 许文才 陈强
北京印刷学院,印刷包装材料与技术,北京市重点实验室,北京,102600
国内会议
武汉
中文
2300-2302
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）