GaN纳米棒的合成与表征

摘要：

利用化学气相沉淀法(CVD)以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒.纳米棒直径在50～200nm,长度在2～10μm,表面比较光滑.利用场发射扫描电镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD),能量散射谱(EDS)对样品进行了成分和结构分析,表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构,同时对其生长机理进行了探讨。

关键词： 氮化镓 纳米棒 化学气相沉淀 催化剂 气液固机理

作者: 王连红 梁建 马淑芳 万正国 许并社

作者单位: 太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024 太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024;新材料界面科学与工程省部共建教育部重点实验室,山西,太原,030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 2278-2279

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）