Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析

摘要：

采用反应射频磁控溅射法,在氩-氧氛围制备Cu-O体系薄膜。在溅射功率、氩气流量一定的条件下,通过改变氧分压,得到不同成份的Cu-O体系薄膜。在氧分压较小条件下,薄膜中主要以金属铜为主,存在少量的Cu2O,随着氧分压的增加,Cu2O成分增加,在氧分压1.42×10-2pa时得到单相Cu2O薄膜。随着氧分压继续增加,Cu2O逐渐转变成CuO.薄膜成份通过X射线分析,薄膜电阻率采用四探针仪测量,薄膜光学特性采用紫外-可见光谱分析,并计算出本次实验所得单相Cu2O光学带隙为2.51eV.

关键词： 磁控溅射 氧化亚铜 光学带隙 铜氧化物 太阳电池

作者: 陈德明 徐刚

作者单位: 中国科学院,广州能源研究所,中国科学院,可再生能源与天然气水合物重点实验室,广东,广州,510640;中国科学院,研究生院,北京,100049 中国科学院,广州能源研究所,中国科学院,可再生能源与天然气水合物重点实验室,广东,广州,510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 1502-1504

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）