SiNx:H膜沉积气体压力与热处理温度的匹配性研究

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在多晶硅片上生长SiNx:H膜,研究了不同反应气体压力对SiNx:H膜层性能的影响,以寻求SiNx:H膜光学性能和钝化效果之间的平衡关系.在气体压力为0.25Pa时,SiNx:H膜的折射率和钝化效果均达到理想的范围,并经840℃热处理后钝化效果得到进一步提高,与烧结工艺温度相匹配.气体压力0.25Pa条件下沉积的SiNx:H膜制成太阳电池后开路电压和短路电流最高,电池性能最佳.

关键词： SiNx:H膜 钝化 热处理 多晶硅太阳电池 等离子体增强化学气相沉积

作者: 柳翠 龚铁裕 许瑞峰 黄勋骅 袁晓 汪乐

作者单位: 上海太阳能科技有限公司,上海,201108

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 1495-1498

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）