Ga掺杂Zn4Sb3体系热电性能的研究

摘要：

首先在5～310K温度范围内,研究了Ga替代对化合物(Zn1-xGax)4Sb3的低温热电性能的影响。研究发现相对于无掺杂的Zn4Sb3,(Zn1-xGax)4Sb3(x≠0)的低温热导率明显减小,而且随着Ga替代量的增加而不断减小。另外,轻掺杂条件下(x≤0.15),掺杂后的电阻率和热电势都减小。而随后对β-Zn4Sb3和β-(Zn0.85Ga0.15)4Sb3的高温(300～670K)热电性能进行了测量,结果充分表明合适量的Ga替代Zn(比如x=0.15),可以优化β-Zn4Sb3的高温热电性能。

关键词： Zn4Sb3 热导率 热电性能

作者: 刘峰 秦晓英

作者单位: 中国科学院,固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 1348-1351

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）