CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析
采用透射电子显微镜对CdZnTe晶体材料的缺陷特性进行了分析。在(111)面的透射电镜明场像中,观察到了棱柱位错环、位错墙、沉淀相、层错及倾斜的孪晶界面。应力是位错形成的主要原因,棱柱位错环的产生是由于沉淀相粒子在基体上产生错配应力；而位错网络与位错墙是两种热应力联合作用于晶体边缘的结果。晶体生长过程中,液固界面生长形态从平界面向胞状界面发展产生的沉淀相衬度不同于由于Te原子溶解度的回退产生的沉淀相衬度。CdZnTe晶体中的堆跺层错和孪晶与固液界面的稳定性相关.
CdZnTe晶体材料 透射电子显微镜 缺陷分析 固液界面
曾冬梅 王涛 查钢强 张继军 介万奇
西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072
国内会议
武汉
中文
3967-3969
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）