溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性,当溅射功率为120W时,Ca2Si薄膜变的均匀、致密,在400～800nm波长范围内,溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。

关键词： 射频磁控溅射 Ca2Si薄膜 溅射功率

作者: 任雪勇 谢泉 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳

作者单位: 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 1519-1521

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）