Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜,将其装入石墨盒里后,放在真空炉里面硫化处理,硫化温度在150～350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明退火温度在230～250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性和对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.38eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于104/cm,用霍尔测量系统测得其导电类型为p型,适合应用于太阳能电池的吸收层材料。
SnS薄膜 两步法 光电性能 热蒸发法
彭少朋 程树英
福州大学,电子科学及应用物理系,福建,福州,350002
国内会议
武汉
中文
1516-1518
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）