会议专题

Gd5Ge4的磁结构相变和磁玻璃行为的研究

通过对温度诱导和磁场诱导的磁化强度的测量和分析,证明了Gd5Ge4在低温范围存在从反铁磁到铁磁的一级结构相变,有典型的相分离特征。为了进一步说明Gd5Ge4的磁结构相变,对不同低温的磁场诱导的磁化强度进行了两次循环测量,结果显示Gd5Ge4在低温下磁化行为具有不可逆性和对温度的依赖性。同时对磁化强度的研究揭示了Gd5Ge4在低温时存在磁玻璃态.

磁结构相变 相分离 不可逆性 磁玻璃态

董彤 袁淑娟 徐坤 郁黎明 曹世勋 张金仓

上海大学,物理系,上海,200444

国内会议

第六届中国功能材料及其应用学术会议

武汉

中文

1150-1152

2007-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)