应力生长FeCoSiB非晶薄膜的磁各向异性研究

摘要：

采用应力生长方法,制备出受压应力和张应力作用的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜,研究了薄膜中的应变大小对FeCoSiB薄膜的磁滞回线、剩磁、应力诱导各向异性场等磁特性的影响。结果表明,无应变薄膜在薄膜面内呈现各向同性,而有应变的薄膜呈现出明显的各向异性。张应力诱导的各向异性与应力方向平行,而压应力形成垂直于应力方向的磁各向异性。各向异性场随应变的增大而线性增大。

关键词： 非晶薄膜 磁各向异性 应力生长

作者: 彭斌 张万里 汤如俊 蒋洪川 兰中文

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 1111-1113

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）