会议专题

ZnO上欧姆接触的研究进展

为制备高性能的ZnO基器件如UV光发射器/探测器、场效应晶体管,在ZnO上形成优良的金属电极是十分必要的。回顾了近年来ZnO上制备欧姆接触的新进展,对在n型ZnO上制备欧姆接触的Al,Al/Pt,A1/Au,Ti/Al,Ti/Au,Ti/Al/Pt/Au,Re/Ti/Au等金属化方案的性能与特点,以及影响欧姆接触电阻率和热稳定性的因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳.同时,对p型ZnO上难以获得低接触电阻的原因进行了讨论。文章还简要说明了ZnO上透明欧姆接触的研究现状,指出获得低阻、高导电、高透光和高热稳定性的接触是未来ZnO基光电器件的发展方向。

ZnO基器件 欧姆接触 肖特基势垒 透明电极 热稳定性 光电器件

董建新 方亮 张淑芳 彭丽萍 张文婷 高岭

重庆大学,应用物理系,重庆,400044

国内会议

第六届中国功能材料及其应用学术会议

武汉

中文

907-912

2007-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)