POSS基低介电常数多孔薄膜的制备与性能研究

摘要：

通过4,4”-二(4-烯丙氧基苯甲酸)苯酯与POSS分子的硅氢化反应,合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征,利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比,可制备出k＜2.5的低介电常数薄膜。

关键词： POSS基 多孔薄膜 交联聚合物 低介电常数 硅氢化反应

作者: 聂王焰 李刚 徐洪耀

作者单位: 安徽大学,化学化工学院,安徽省绿色高分子材料重点实验室,安徽,合肥,230039 安徽大学,化学化工学院,安徽省绿色高分子材料重点实验室,安徽,合肥,230039;东华大学,材料科学与工程学院,纤维高分子材料改性国家重点实验室,上海,201620

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 896-897

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）