真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响

摘要：

利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成In单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏.

关键词： 单晶磷化铟纳米孔阵列 真空高温热退火 表面形貌 微结构

作者: 曾安生 郑茂俊 马荔 沈文忠

作者单位: 上海交通大学,物理系,上海,200240 上海交通大学,化学化工学院,上海,200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 894-895

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）