纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析
二氧化硅是目前IC生产中应用最广泛的层间介质,为满足光刻的要求,必须采用化学机械抛光(CMP)工艺对介质表面进行平整化加工,分析了二氧化硅介质CMP机理过程,指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素,并以自制纳米二氧化硅水溶胶配制抛光浆料进行CMP实验研究,采用这种高浓度、易清洗、低分散度的硅溶胶纳米磨料达到了较高的去除速率和较好的表面状态,有效地减少了表面划伤。另外还分析了磨料粒径、浓度及浆料的流速对CMP的影响,并且对浆料中加入的表面活性剂的作用进行了讨论。
化学机械抛光 纳米磨料 二氧化硅 去除速率 抛光浆料 表面活性剂
檀柏梅 牛新环 时慧玲 刘玉岭 崔春翔
河北工业大学,微电子研究所,天津,300130
国内会议
武汉
中文
881-884
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）