磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能

摘要：

采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外-可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数；同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz～13MHz频段的介电谱,结果表明在300～700nm的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数k→0,折射率n＞2.0,透射率大约80％。500Hz下的低频介电常数ε的典型值为20.1.损耗角正切tgδ为19.9.

关键词： 氧化钽薄膜 磁控反应溅射 光学性质 介电谱

作者: 张幸福 魏爱香 刘毅

作者单位: 广东工业大学,材料与能源学院,广东,广州,510006 深圳大学,物理科学学院,广东,深圳,518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 878-880

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）