总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布

摘要：

通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式,得到总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷的分布。得到的数据较好地解释了实验结果。

关键词： 总剂量辐射 SOI晶体管 陷阱电荷分布 电场分布 载流子扩散

作者: 王茹 张正选 俞文杰 贺威 田浩 陈明

作者单位: 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100039 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 863-865

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）