并五苯场效应晶体管的研制

摘要：

以X射线衍射仪(XRD)研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构,通过原子力显微镜(AFM)分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌.以热氧化的硅片作为绝缘栅极,并五苯作为有缘层,采用底接触结构,研制场效应晶体管.经过测试得到其场效应迁移率为1.23cm/Vs,开关电流比＞106.

关键词： 并五苯多晶薄膜 二氧化硅 场效应晶体管 X射线衍射仪 迁移率 绝缘栅极

作者: 陶春兰 董茂军 张旭辉 张福甲

作者单位: 兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 860-862

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）