P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制

摘要：

以P++硅为衬底,热生长SiO2为栅绝缘层,真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层,射频磁控溅射金作为源、漏电极,成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。测试表明在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为:0.31cm2/Vs。

关键词： 有机场效应晶体管 P型硅并五苯 迁移率 真空蒸发 有机半导体材料 射频磁控溅射金

作者: 董茂军 陶春兰 孙硕 李建丰 欧谷平 张福甲

作者单位: 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;湖南科技大学,物理学院,湖南,湘潭,411201

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 858-859

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）