锰掺杂对PMN-PZT陶瓷介电性能的影响

摘要：

研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT(铌镁酸铅-锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释.实验结果表明：适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0％(原子分数)时,εr=197、tanδ=0.15％,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。

关键词： 无机非金属材料 PMN-PZT陶瓷 锰掺杂 介电性能 铌镁酸铅 锆钛酸铅 红外热释电探测器

作者: 郭婷 姜胜林 张海波 林汝湛

作者单位: 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 821-823

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）