铁电薄膜退火方法的研究
以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时,增加其制备工艺设计的弹性和可行性。
锆钛酸铅薄膜 铁电薄膜 高温生长工艺 快速热退火 激光低温退火
田雪雁 徐征
北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044
国内会议
武汉
中文
807-808
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）