AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有c轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75％,品质因数79.5.通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制.
薄膜腔声谐振器 氮化铝压电薄膜 谐振频率 体硅微细加工 择优取向
胡宽 顾豪爽 张凯 胡光 吴小鹏 熊娟
湖北大学,物理学与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,湖北,武汉,430062
国内会议
武汉
中文
735-737
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）