后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析

摘要：

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随退火气氛、退火温度以及退火降温速率变化的趋势,通过对不同后处理工艺参数实验结果的分析,得到较优化的工艺参数,以制备较小残余应力的优质BST薄膜。

关键词： 射频磁控溅射 钛酸锶钡薄膜 BST薄膜 晶化处理 残余应力

作者: 唐海军 杨传仁 陈宏伟 张继华 冯术成

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜重点实验室,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 771-774

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）