(K0.54Na0.46)NbO3-LiSbO3无铅压电陶瓷的电学性能与相结构
利用传统的电子陶瓷工艺制备了(1-x)(K0.54Na0.46)NbO3-xLiSbO3”(1-x)KNN-xLS”无铅压电陶瓷,研究了LiSbO3对(1-x)KNN-xLS陶瓷的相结构与介电压电性能的影响。研究结果表明,(1-x)KNN-xLS陶瓷的准同型相界位于0.04＜x＜0.06；(1-x)KNN-xLS陶瓷的电学性能强烈地依靠化学成分,在准同型相界附近具有加强的电学性能；(1-x)KNN-xLS(x=0.05)陶瓷的室温压电常数达220pC/N,径向机电耦合系数达43％,居里温度为368℃,正交-四方转变温度为90℃,介电常数为1145,介电损耗为2.8％,剩余极化值为26.6μC/cm2,矫顽场为13.8kV/cm.因此可以认为,该陶瓷体系是具有应用前景的无铅压电陶瓷材料之一.
无铅压电陶瓷 相结构 电学性能 化学成分 径向机电耦合
王媛玉 吴家刚 肖定全 朱建国 吴浪
四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;贵州大学,材料科学与工程学院,贵州,贵阳,550003 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064
国内会议
武汉
中文
724-726
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）