TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究
分别制备了8％(质量分数)的TiC和5％(质量分数)的SiC掺杂的MgB2超导块材,并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在流动的Ar气保护下在不同退火温度下退火,研究发现TiC掺杂和SiC掺杂的MgB2样品的最优化工艺参数分别是900℃保温1h和720℃保温1h.随后采用XRD和SEM分别对样品进行了相成份和微观结构的分析,并采用PPMS测试了样品的磁滞回线并由Bean模型计算出了样品的临界电流密度。在4.2K,0T下TiC掺杂的Jc值为1.0×105A/cm2,而10K,0T下SiC掺杂样品的Jc值为4×105A/cm2.而且随着外加磁场的增加,SiC掺杂MgB2样品的Jc值下降得比TiC掺杂的MgB2样品要缓慢很多,这表明了SiC掺杂比TiC掺杂更有利于改善MgB2在高场下的超导电性能。
SiC掺杂 TiC掺杂 MgB2超导体 超导性能 退火温度 微观结构
张子立 周美玲 索红莉 马麟 刘敏 李亚明 赵福祥 梁小涛 赵跃 施智祥
北京工业大学材料学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100022 东南大学,物理系,江苏,南京,210096
国内会议
武汉
中文
484-487
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）