氮气流量对CuInS2薄膜微结构的影响

摘要：

采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层CuInS2薄膜,研究了硫源处N2流量对CuInS2薄膜微结构的影响。利用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的结构。结果表明：N2流量增大到600ml/min制得具有黄铜矿结构且沿(112)晶向择优生长的CuInS2薄膜,晶粒尺寸为230nm。

关键词： Cu-In薄膜 CuInS2薄膜 N2流量 硫化法 晶向生长 光电转换材料

作者: 阎有花 刘迎春 方玲 赵海花 李德仁 卢志超 周少雄

作者单位: 钢铁研究总院,北京,100081

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 412-414

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）