CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV；其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定；计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好。

关键词： CrSi2 能带结构 光学性质 第一性原理 赝势平面波

作者: 周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜

作者单位: 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025;贵州安顺学院,物理系,贵州,安顺,561000 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 379-383

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）