Fe0.875Mn0.125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺Mn的β-FeSi2的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂是调制材料电子结构的有效方式；(2)在β-FeSi2中掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性,Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子；(3)能带结构计算表明：掺Mn使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了p型半导体。

关键词： 第一性原理 Mn掺杂 β-FeSi2薄膜 赝势平面波 几何结构 能带结构

作者: 闫万珺 谢泉 杨创华 赵凤娟

作者单位: 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025;安顺学院,物理系,贵州,安顺,561000 贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 376-378

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）