退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响
采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeS2.
铁硅化物薄膜 磁控溅射 退火温度 β-FeSi2薄膜 SEM 晶体结构
梁艳 谢泉 曾武贤 张晋敏 杨吟野 肖清泉 任雪勇
贵州大学,电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025
国内会议
武汉
中文
373-375
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）