真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究
磁控溅射法沉积的Fe/Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。”Fe 1nm/Si3.2nm”60多层膜在＜880℃温度下真空热处理2h后,样品均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物,且取向杂乱.在920℃真空热处理后,两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明,样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大,最大表面均方根粗糙度约为16nm.卢瑟福背散射分析发现,Fe/Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度为0.88eV.
光电薄膜 β-FeSi2薄膜 真空热处理 磁控溅射法
沈鸿烈 高超 黄海宾
南京航空航天大学,材料科学与技术学院,江苏,南京,210016
国内会议
武汉
中文
370-372
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）