MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究

摘要：

用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质.结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222)方向择优取向生长,电阻率～6.40×10-3 Ω·cm,在可见光区域的平均透过率达到了90％以上.

关键词： MOCVD 金属有机化学气相淀积 In2O3薄膜 薄膜结构 光电性质

作者: 杨帆 马瑾 冯先进 孔令沂 张凯

作者单位: 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 292-293

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）