Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究

摘要：

采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态.浓度测试结果表明,In的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0.19到0.5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D0X峰存在两个热激活能2.8meV和21meV,低电阻晶体A0X热激活能为3.4meV。分析认为功掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。

关键词： Cd0.9Zn0.1Te晶体 In掺杂 自补偿效应 电感耦合等离子质谱仪 PL谱 光致发光

作者: 王涛 徐亚东 刘伟华 曾冬梅 杨戈 介万奇

作者单位: 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 230-232

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）